弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所的科學(xué)家們現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新的高壓CMOS背板，并可以實(shí)現(xiàn)異常明亮的微顯示器。

諸如AR眼鏡和VR頭顯等都能受益于Micro OLED顯示器的圖像質(zhì)量和高亮度。

保持長(zhǎng)壽命的同時(shí)提高亮度的常用方法是使用多個(gè)堆疊的OLED。但堆疊OLED層會(huì)增加整個(gè)結(jié)構(gòu)的電壓降和電壓擺幅，并對(duì)背板技術(shù)提出了高要求。

通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所的科學(xué)家們現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新的高壓CMOS背板，并可以實(shí)現(xiàn)異常明亮的微顯示器。

團(tuán)隊(duì)指出：“我們開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，允許超過(guò)10伏的電壓擺幅。根據(jù)堆疊單元的數(shù)量，可以在保持恒定電流密度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流效率的最大發(fā)射倍數(shù)。這種方法可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)10,000 cd/m2的全彩色最大亮度，同時(shí)保持壽命和可靠性?！?/span>

與LED相比，OLED 技術(shù)在多個(gè)方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)：

成熟度：OLED技術(shù)已達(dá)到較高的成熟水平，市場(chǎng)已有眾多成熟產(chǎn)品。

電流密度：OLED在典型工作狀態(tài)下的電流密度低于100 mA/cm2，具有更高的效率和更長(zhǎng)的使用壽命。相比之下，MicroLED需要超過(guò)1A/cm2的電流密度，導(dǎo)致效率大幅下降。

亮度：通過(guò)多層堆疊OLED 技術(shù)，亮度可提升至超過(guò)10,000 cd/m2，進(jìn)一步拓展了其在明亮環(huán)境中的應(yīng)用可能性。

綜上所述，OLED技術(shù)在成熟度、效率和色彩表現(xiàn)力方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，而MicroLED依然需在技術(shù)方面取得突破。

如今，通過(guò)在高壓CMOS背板應(yīng)用多層堆疊的OLED技術(shù)，亮度可以提升至約10,000 cd/m2，從而為超高亮度OLED微型顯示器的市場(chǎng)推廣帶來(lái)全新的機(jī)遇。